PHS-memory
Phs-Memory 8 Gb Di Memoria Ram Per Asrock H81M-Hds Ddr3 Udimm 1600Mhz (Asrock H81M-Hds, 1 X 8Gb), Memoria Ram (Modelli Specifici)
Questo modulo di memoria RAM da 8GB è 100% compatibile con ASRock H81M-HDS. Aiuto nella scelta della memoria RAM giusta: offriamo memorie RAM più veloci da 1600MHz per il tuo sistema. Grazie alla retrocompatibilità delle nostre memorie RAM a 1333MHz, puoi utilizzarle anche insieme a memorie già esistenti da 1333MHz. Le memorie RAM con ECC offrono una maggiore sicurezza grazie al rilevamento e alla correzione degli errori. La funzione ECC è supportata se tutte le memorie installate sono dotate di ECC. Dovresti utilizzare memorie UDIMM ECC se le memorie esistenti sono già dotate di ECC. È possibile utilizzare diverse dimensioni di RAM negli slot. Anche in questo caso, la modalità Dual Channel è supportata dalla tecnologia Intel Flex Memory. Quando si utilizzano capacità di memoria diverse, è importante assicurarsi che le memorie nel canale di memoria A siano di dimensioni maggiori rispetto a quelle nel canale di memoria B.
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Phs-Memory 8 Gb Di Memoria Ram Per Asrock H81M-Hds Ddr3 Udimm 1600Mhz (Asrock H81M-Hds, 1 X 8Gb), Memoria Ram (Modelli Specifici)
Questo modulo di memoria RAM da 8GB è 100% compatibile con ASRock H81M-HDS. Aiuto nella scelta della memoria RAM giusta: offriamo memorie RAM più veloci da 1600MHz per il tuo sistema. Grazie alla retrocompatibilità delle nostre memorie RAM a 1333MHz, puoi utilizzarle anche insieme a memorie già esistenti da 1333MHz. Le memorie RAM con ECC offrono una maggiore sicurezza grazie al rilevamento e alla correzione degli errori. La funzione ECC è supportata se tutte le memorie installate sono dotate di ECC. Dovresti utilizzare memorie UDIMM ECC se le memorie esistenti sono già dotate di ECC. È possibile utilizzare diverse dimensioni di RAM negli slot. Anche in questo caso, la modalità Dual Channel è supportata dalla tecnologia Intel Flex Memory. Quando si utilizzano capacità di memoria diverse, è importante assicurarsi che le memorie nel canale di memoria A siano di dimensioni maggiori rispetto a quelle nel canale di memoria B.